Descripción
Samsung MZ-VAP4T0B. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de formato SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14800 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/computadora portátilFicha Técnica
Características
| Algoritmos de seguridad | 256-bit AES |
| SDD, capacidad | 4 TB |
| Factor de formato SSD | M.2 |
| NVMe | Si |
| Tipo de memoria | V-NAND TLC |
| Encriptación de hardware | Si |
| Tamaño de la SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Velocidad de lectura | 14800 MB/s |
| Velocidad de escritura | 13400 MB/s |
| Lectura aleatoria (4KB) | 2200000 IOPS |
| Escritura aleatoria (4KB) | 2600000 IOPS |
| Pistas de datos de interfaz PCI Express | x4 |
| Función DevSleep | Si |
| Soporte S.M.A.R.T. | Si |
| Soporte TRIM | Si |
| Tiempo medio entre fallos | 1500000 h |
Detalles técnicos
| Interfaz | PCI Express 5.0 |
| Warranty period | 5 Año(s) |
Diseño
| Componente para | PC/computadora portátil |
Control de energía
| Voltaje de operación | 3.3 V |
| Consumo promedio de energía (lectura) | 9 W |
| Consumo promedio de energía (escritura) | 8.2 W |
Peso y dimensiones
| Ancho | 80.2 mm |
| Profundidad | 2.38 mm |
| Altura | 22.1 mm |
| Peso | 9 g |
Condiciones ambientales
| Intervalo de temperatura operativa (T-T) | 0 - 70 °C |
| Resistencia a golpes | 1500 G |