Descripción
Samsung MZ-VAP4T0B. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de formato SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14800 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/computadora portátilFicha Técnica
Características
Algoritmos de seguridad | 256-bit AES |
SDD, capacidad | 4 TB |
Factor de formato SSD | M.2 |
NVMe | Si |
Tipo de memoria | V-NAND TLC |
Encriptación de hardware | Si |
Tamaño de la SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
Velocidad de lectura | 14800 MB/s |
Velocidad de escritura | 13400 MB/s |
Lectura aleatoria (4KB) | 2200000 IOPS |
Escritura aleatoria (4KB) | 2600000 IOPS |
Pistas de datos de interfaz PCI Express | x4 |
Función DevSleep | Si |
Soporte S.M.A.R.T. | Si |
Soporte TRIM | Si |
Tiempo medio entre fallos | 1500000 h |
Detalles técnicos
Interfaz | PCI Express 5.0 |
Warranty period | 5 Año(s) |
Diseño
Componente para | PC/computadora portátil |
Control de energía
Voltaje de operación | 3.3 V |
Consumo promedio de energía (lectura) | 9 W |
Consumo promedio de energía (escritura) | 8.2 W |
Peso y dimensiones
Ancho | 80.2 mm |
Profundidad | 2.38 mm |
Altura | 22.1 mm |
Peso | 9 g |
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa (T-T) | 0 - 70 °C |
Resistencia a golpes | 1500 G |