Descripción
Samsung 990 EVO Plus. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de formato SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7250 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC/computadora portátilFicha Técnica
Características
Versión NVM Express (NVMe) | 2.0 |
Algoritmos de seguridad | 256-bit AES |
SDD, capacidad | 4 TB |
Factor de formato SSD | M.2 |
NVMe | Si |
Tipo de memoria | V-NAND TLC |
Encriptación de hardware | Si |
Tamaño de la SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
Velocidad de lectura | 7250 MB/s |
Velocidad de escritura | 6300 MB/s |
Lectura aleatoria (4KB) | 1050000 IOPS |
Escritura aleatoria (4KB) | 1400000 IOPS |
Soporte S.M.A.R.T. | Si |
Soporte TRIM | Si |
Tiempo medio entre fallos | 1500000 h |
calificación TBW | 2400 |
Detalles técnicos
Interfaz | PCI Express 4.0 |
Warranty period | 5 Año(s) |
Certificados de conformidad | KCC, Comisión Federal de Comunicaciones (FCC), CE |
Diseño
Componente para | PC/computadora portátil |
Control de energía
Consumo de energía (lectura) | 5.5 W |
Consumo de energía (escritura) | 4.8 W |
Consumo de energía (espera) | 0.06 W |
Peso y dimensiones
Ancho | 80.2 mm |
Profundidad | 22.1 mm |
Altura | 2.38 mm |
Empaquetado de datos
Tipo de empaque | Envase para colgar |
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa (T-T) | 0 - 70 °C |
Intervalo de temperatura de almacenaje | -40 - 85 °C |
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento | 5 - 95% |
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje | 5 - 95% |
Golpe (fuera de operación) | 1500 G |
Resistencia a la vibración | 20 G |